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成果推介:3D 闪存数据存储可靠性关键技术研究

发布时间:2020-10-01

随着人工智能时代的到来, 全球数据存储量呈现爆炸式增长,企业及互联网数据以每年50%的速率在增长,日益剧增的海量数据给中国大数据应用提供了广阔的发展前景,保证大数据存储可靠性已成为中国发展迫切需要解决的重大问题。闪存作为固态存储的存储介质而备受关注。为了获得更大的存储容量和更高的存储密度,近年来闪存制造商和用户都将重心由平面架构转向3D架构的发展。在新的闪存工艺和组织架构下,数据存储可靠性和寿命急剧下降。

深圳华中科技大学研究院的谢长生教授团队研究的“3D 闪存数据存储可靠性关键技术”,围绕着3D TLC闪存错误模式和错误特征,对原始比特错误率的演化进行预测,建立一套错误模型感知的LDPC性能优化机制和阈值电压分布感知的LDPC译码优化算法,提高数据的可靠性,减少迭代次数和读延迟,并依据I/O负载的特征动态组织闪存的使用及缓存区域的大小,提升读性能,有效的延长闪存的使用寿命。

项目背景

人工智能时代的到来对闪存的存储容量提出了新的挑战。近年来闪存制造商和用户都将重心由平面架构转向3D架构的发展。在新的架构下数据的可靠性严重下降。从数据存储可靠性性方面来讲,研究3D闪存纠错编码核心技术,提高闪存寿命,保证数据存储可靠性,对移动互联网终端如手机、笔记本电脑和视频监控、大规模数据中心、航空航天及国防等领域有着重要的价值和意义。